采用电压衬度测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法技术资料下载

技术编号:7042092

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本发明公开了,涉及集成电路制造工艺领域。该方法为建立电压衬度测试结构;将所述电压衬度测试结构放置于监控产品测试位置,在所述电压衬度测试结构的表面沉积掩模层,根据前段工艺进行流片;采用刻蚀工艺对所述电压衬度测试结构进行刻蚀;采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述电压衬度测试结构进行检测,判断所述电压衬度测试结构与底部的有源区是否短路,若是则存在刻蚀残留缺陷,若否则所述电压衬度测试结构不存在刻蚀残留缺陷。采用该方法能够及时发现在线缺陷,为研发阶段良率提升提供数据参...
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