技术编号：7042498
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在分裂栅极构造的MONOS型存储器单元中，防止在选择栅电极与存储器栅电极之间引起短路，而使半导体装置的可靠性提高。在具有相互邻接并在第1方向上延伸的选择栅电极（CG1）以及存储器栅电极（MG1）的MONOS存储器中，通过帽绝缘膜（CA1）覆盖第1方向中的选择栅电极（CG1）的端部的分流部（CS1）以外的区域的选择栅电极（CG1）的上表面。存储器栅电极（MG1）相对从帽绝缘膜（CA1）露出的分流部（CS1）的上表面、与帽绝缘膜（CA1）的边界，在帽绝缘膜（C...
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