技术编号:7045230
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐照SCR静电防护器件,本发明嵌入的环形栅MOSFET可用于6种不同结构的SCR静电防护器件。6种SCR静电防护器件结构,分别通过嵌入环形栅NMOS、环形栅PMOS、嵌入环形栅MOSFET同时增加P型阱区及N型深阱区来实现。环形栅的嵌入,相当于嵌入栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构,其触发电压接近栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构的触发电压,降低了触发电压,加快了开启速度。采用环形栅结构,增大了阴极到阳极的...
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