技术编号:7047116
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件,其包括金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N-外延层、P+离子注入区、二次N-外延层、N+衬底区、欧姆接触区,其中,所述P+离子注入区处于深沟槽的拐角处下方;所述沟槽为深沟槽,沟槽的深度为1.5~8μm。本发明具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件,继承沟槽式碳化硅SBD的基本结构,具有正向电流大的优点,同时克服了反向漏电流大的缺点。专利说明 一种具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件[0001]本发明涉及微电子,尤...
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