技术编号：7053518
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体器件，包括栅极电极，掩埋在半导体部分中。栅极电极包括第一栅极部分和第二栅极部分，所述第一栅极部分在与所述半导体部分的主表面平行的纵向中心轴的第一侧上，所述第二栅极部分在所述纵向中心轴的相对的第二侧上。至少一个第一栅极接触从由所述主表面限定的主侧延伸到所述第一栅极部分中。专利说明具有掩埋栅极电极和栅极接触的半导体器件 [0001]本公开涉及半导体技术，更具体而言，涉及具有掩埋栅极电极和栅极接触的半导体器件。 背景技术 [0002]典型的功...
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