技术编号：7053604
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于超大规模集成电路制造，具体为一种基于BTEM前驱体的超低介电常数薄膜及其制备方法。本发明以1，2-二（三乙氧基硅基）甲烷为前驱体，通过添加表面活性剂聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物、盐酸、乙醇和去离子水，制备溶胶溶液；然后，采用旋涂技术和后退火处理，获得性能良好的超低介电常数薄膜材料，其介电常数值（k）在1.8-2.0之间，0.5MV/cm的电场强度下漏电流密度在10-10-10-9?A/cm2数量级，杨氏模量为8-20GPa，硬度...
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