技术编号:7054342
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,包括提供一半导体衬底,在所述衬底上形成硬质掩膜层,对硬质掩膜层及衬底刻蚀,以形成隔离沟槽;对硬质掩膜层进行回刻,并在隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层;沉积隔离介质层充满隔离沟槽并对隔离介质层进行平坦化工艺;沿开口对隔离介质层进行回刻;在隔离介质层表面形成无定形碳侧墙;对隔离介质层内注入离子;采用刻蚀工艺去除所述硬质掩膜层及无定形碳侧墙,以形成浅沟槽隔离结构。本发明可避免在浅沟槽隔离结构与半导体衬底接缝处出现凹槽,提高所形成浅沟槽隔离结构的形...
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