技术编号：7054913
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种无结晶体管，涉及半导体场效应晶体管，采用SiGe作为无结晶体管的材料，Ge的加入能够提高无结晶体管的电子和空穴的迁移率，且器件的源区和漏区与沟道区中的Ge含量有差别，这种源漏异质结的结构能够提高空穴的发射速度和迁移率。专利说明—种无结晶体管 [0001]本发明涉及半导体场效应晶体管，尤其涉及一种无结晶体管。 背景技术 [0002]在摩尔定律的指导下，集成电路半导体器件的尺寸越来越小，但是不能无限缩小，在缩小到一定程度将达到它的物理极限，严重的...
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