技术编号：7056749
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种，包括提供一半导体衬底；半导体衬底上具有阻挡层区域和非阻挡层区域；在半导体衬底表面形成第一氧化层；在第一氧化层表面形成氮化层；经光刻和刻蚀工艺，去除阻挡层区域上的氮化层，将阻挡层区域上的第一氧化层暴露出来；在完成步骤04的半导体衬底上形成第二氧化层；经光刻和刻蚀工艺，去除非阻挡层区域上的第二氧化层和氮化层；其中，第一氧化层和第二氧化层共同作为阻挡层。本发明通过在阻挡区采用第二氧化层代替氮化层，从而避免由于氮化层和氧化层界面的存在而导致自由电...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。