技术编号：7058659
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种全局曝光像素单元中防漏光存储电容，包括不透光的上下极板和中间的介质层，所述电容极板侧壁覆盖有不透光的隔断结构。本发明还公开这种全局曝光像素单元中防漏光存储电容的形成方法，具体步骤包括，生长衬垫层，淀积金属或金属化合物，光刻刻蚀在电容极板侧壁形成可以阻挡入射光线穿透的隔断结构，淀积边墙介质并刻蚀形成边墙。本发明通过内嵌金属层的边墙结构有效阻挡入射光线的穿透，避免由此造成的存储电容中存储电荷的失真，减少噪点，提高输出图像信号的正确率，适用于4T...
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