技术编号：7060053
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种NMOS器件及其制作方法，包括第一栅极结构和第二栅极结构；位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处的第一轻掺杂区，位于靠近所述第二栅极结构处且在所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧的第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区；位于所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间的N型重掺杂区；位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的源区，位于所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧的漏区。本发明...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。