具有坡形栅极的4H-SiC金属半导体场效应晶体管及制作方法技术资料下载

技术编号:7061204

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本发明公开了一种具有坡形栅极的4H-SiC金属半导体场效应晶体管,其自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极,所述N型沟道层的上端面设置向源极帽层一侧倾斜的坡形槽,坡形槽内设有坡形栅极,坡形栅极的下端面与坡形槽相配合,坡形栅极的上端面与N型沟道层的上端面平行,所述坡形栅极与源极帽层之间距离小于坡形栅极与漏极帽层之间的距离。本发明的场效应晶体管具有漏极输出电...
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