技术编号:7061204
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种具有坡形栅极的4H-SiC金属半导体场效应晶体管,其自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极,所述N型沟道层的上端面设置向源极帽层一侧倾斜的坡形槽,坡形槽内设有坡形栅极,坡形栅极的下端面与坡形槽相配合,坡形栅极的上端面与N型沟道层的上端面平行,所述坡形栅极与源极帽层之间距离小于坡形栅极与漏极帽层之间的距离。本发明的场效应晶体管具有漏极输出电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。