技术编号：7062130
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于SiC功率器件领域，具体涉及。该终端钝化结构采用DLC薄膜层替换现有的聚酰亚胺类材料以及非化学计量氮化硅层和化学计量氮化硅层的复合结构。该钝化方法采用DLC薄膜材料对SiC功率器件进行终端钝化保护。该钝化结构在SiC器件工作的温度下，提高器件反向击穿电压，降低反向漏电流，稳定、可靠地承受更高的工作温度，提高器件可靠性，有效地解决了SiC器件高温工作时的终端钝化保护问题，并且结构简单，工艺实现难度低。专利说明一种用于Sic功率器件的终端钝化结构及其...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。