技术编号:7062199
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管,以及一种形成双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,包括一基板;至少一图案化非晶硅层位于所述基板上的一阻隔层内,所述至少一图案化非晶硅层构成一底栅极;一N型金属氧化半导体,位于所述阻隔层上;以及一P型金属氧化半导体,位于所述阻隔层上;其中,所述N型金属氧化半导体成一图案化栅极电极层与所述至少一图案化非晶硅层形成的所述底栅极结合成双栅极结构,使电流-电压特性更加稳定,导通电流明显改善,驱动能力增加,降...
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