技术编号：7063810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种发光二极管外延片结构，由下至上包括衬底、N型氮化镓层、多量子阱发光层以及P型氮化镓层，在所述N型氮化镓层中至少插入一个InyGa1-yN/AlN复合层（0＜y≤1），在所述P型氮化镓层中至少插入一个AlN/InzGa1-zN复合层（0＜z≤1），插入层中AlN层抬高了的势垒形成了阻挡层，InyGa1-yN层降低了势垒形成了载流子俘获层，使在N型氮化镓层与P型氮化镓层中形成的二维电子气浓度更高、分布更加集中，从而提高电流扩展能力。专利说明一种发...
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