技术编号:7064781
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种具有镂空结构的LED外延结构及其制作方法,该LED外延结构包括衬底;位于衬底上的AlN层,所述AlN层包括若干分离设置且阵列排布的AlN柱状结构;位于AlN层上的第一GaN层,所述第一GaN层由若干沿AlN柱状结构向上延伸形成的GaN结构组成;位于第一GaN层上方的第二GaN层,所述第二GaN层覆盖于所有第一GaN层中的GaN结构上;其中,所述第一GaN层或第一GaN层与第二GaN层在衬底上方形成镂空结构。本发明在蓝宝石衬底上制作AlN图形...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。