技术编号：7065074
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种阵列基板的掺杂方法及制造设备，其方法包括采用半调掩膜在基板的栅极绝缘层上形成光阻图案层，其中，基板上设有多晶硅图案层，栅极绝缘层覆盖多晶硅图案层，光阻图案层对应多晶硅图案层的待重掺杂区域形成镂空部，对应待轻掺杂区域形成第一光阻部，对应不掺杂区域形成第二光阻部，并且，第一光阻部比第二光阻部薄；对多晶硅图案层进行一次掺杂，以一次形成该多晶硅图案层的重掺杂区域和轻掺杂区域。通过上述方式，本发明能够通过一次掺杂形成多晶硅图案层的重掺杂区域和轻掺杂区...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。