技术编号：7068997
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种新型相变存储单元结构，包括依次沉积于衬底上的第一电极层、氮化物绝缘材料层、相变材料层和第二电极层，所述氮化物绝缘材料层内设置有加热电极，所述加热电极分别与第一电极层和相变材料层电性接触，并且相变材料层还与第二电极层电性接触。所述加热电极优选采用氮化物加热电极。本实用新型通过采用氮化物绝缘材料层包覆加热电极，能够有效阻止加热电极被氧化，从而避免出现加热电极阻值不稳定和相变存储器件失效的问题，提高了器件成品率，并大幅降低了器件功耗，且本实用...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。