技术编号：7082522
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于晶体硅太阳电池的制作，具体涉及ー种氧化法制备太阳电池无死层发射极的エ艺。背景技术随着化石能源的枯竭，太阳电池作为ー种緑色能源，得到快速的发展。晶体硅太阳电池成为目前太阳电池领域的主流，如何降低太阳电池的成本，提高太阳电池的效率成为国内外晶体硅太阳电池研究的重点。 发射极作为太阳电池的关键组成部分，其表面掺杂浓度，直接影响太阳电池的效率。因为当掺杂浓度大于102°/cm3时，将成为死层区，因此，通过降低发射极表面的掺杂浓度，提高电池片对短波段的响应...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。