接触孔偏移量测结构的制作方法技术资料下载

技术编号:7088606

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本实用新型提供一种接触孔偏移量测结构,其至少包括半导体衬底;位于所述半导体衬底内的阱区;位于所述阱区内相互平行的第一有源区和第二有源区;位于所述第一有源区和所述第二有源区上的等间距排布的栅桥;位于所述第一有源区上的第一接触孔图形,所述第一接触孔图形包括以等间距排布的第一接触孔组;以及位于所述第二有源区上的第二接触孔图形,所述第二接触孔图形包括以等间距排布的第二接触孔组;其中,各第二接触孔组之间的间距大于各栅桥之间的间距,所述第二接触孔组与所述栅桥交错间隔分...
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