技术编号：7088737
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提供一种半导体结构，所述半导体结构包括离子掺杂层、氧化物层、多晶硅层和氮化钛层。所述半导体结构在所述设有离子掺杂区域的离子掺杂层上形成一层氮化钛保护层，在使用X射线等高能量射线对所述半导体结构进行测试时，可以保护所述离子掺杂区域内的掺杂离子不受所述X射线等高能量射线的破坏，使得所述掺杂离子的离子掺杂层的性能比较稳定；在所述离子掺杂层上设有氧化物层和多晶硅层，可以使得所述离子掺杂区域内的离子掺杂更加均匀。专利说明一种半导体结构 [0001]本...
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