技术编号:7089614
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件,包括由多个垂直方向的三维NAND存储串构成的存储串阵列;每个三维NAND存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包裹结构;半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极;源极与漏极串联连接;沟道为方柱形结构;四层包裹结构从里到外依次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极;阻隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度,依次为d1、d2、d3、d4,并满足关系式d1<d2<d...
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