技术编号：7089860
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种高饱和容量的图像传感器像素，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、第一复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，还包括第二复位晶体管和N型离子区，第二复位晶体管与光电二极管相连；N型离子区的一部分位于所述电荷传输晶体管沟道中，另一部分位于所述漂浮有源区中，并且与漂浮有源区的N+区相连。像素的饱和电荷容量不受工作电势限制，进而有效提高了像素的饱和容量，提升了图像传感器输出的图像品质。专利说明高饱和容量的图像传感器像素 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。