技术编号：70967

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技术领域本发明是关于一种发光二极管(Light Emitting Diode；LED)晶片结构及其制造方法，特别是一种有关磷化铝镓铟(AlGalnP)发光二极管的结构及其制造方法。 背景技术常用的磷化铝镓铟发光二极管具有一只异质结构(DoubleHeterostructure；DH)，其构造如图1所示，是在一n型砷化镓(GaAs)基板(Substrate)3上成长一铝含量在70-100％的n型(AlxGa1-x)0.5ln0.5P下包覆层4，一(AlxGa1-x)0.5ln0.5P活性层5、一铝含量在70-100...
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