技术编号:7097348
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提供一种半导体结构,包括至少两层层间介质层;所述半导体结构中还包括至少一个嵌入式金属互连结构;所述嵌入式金属互连结构包括第一金属层、第二金属层及连接所述第一金属层及第二金属层的至少一个嵌入式金属插塞;所述第一金属层形成于所述层间介质层中,所述第二金属层形成于该层间介质层上面一层层间介质层中,所述第一金属层中具有通孔,所述嵌入式金属插塞的底部嵌入所述通孔中。本实用新型在半导体结构中设置至少一个嵌入式金属互连结构,可以增强各层之间的粘合能力,从而增强...
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