技术编号:7098364
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造,尤其涉及一种同时具有低压器件和耐高压器件的。背景技术传统的Bipolar (双极)工艺平台分类,一般以该工艺平台制造出来的标准NPN晶体管可承受的最大工作电压来制定;标准NPN晶体管的最大工作电压由集电区(C极)到发射区(E极)的耐压(即CE耐压)决定,CE耐压主要由外延厚度及电阻率决定,基区浓度及结深也会影响;外延厚度决定了隔离规则及工艺,而隔离规则及工艺又决定了版图面积;所以Bipolar低压工艺平台,对应外延厚度薄,隔离间距...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。