技术编号：7100139
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及包括具有由透光衬底上形成的GaN基半导体组成的发光元件结构的倒装芯片安装的GaN基LED芯片的发光器件。GaN基半导体是通过下列化学式所表示的化合物半导体。AlaInbGa1^bN (0 ≤ a ≤ 1，0≤ b ≤ 1，≤ a+b≤ I)， 它又称作III族氮化物半导体、氮化物基半导体等。其中III族元素的一部分由B (硼)、n (铊)等替代的上述化学式的化合物半导体以及其中N(氮)的一部分由P (磷)、As (砷)、Sb (锑)、Bi ...
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