技术编号：7103356
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种。背景技术随着集成电路向亚微米尺寸发展，器件的密集程度和工艺的复杂程度不断增加，对工艺过程的严格控制变得更为重要。其中，通孔作为多层金属层间互连以及器件有源区与外界电路之间的连接的通道，由于其在器件结构组成中具有的重要作用，使得通孔的形成工艺历来为本领域技术人员所重视。图广图3为现有通孔形成过程的结构示意图。 参考图1，提供半导体衬底100，在所述半导体衬底上形成待刻蚀材料层101，所述待刻蚀材料层101为单层结构或多...
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