技术编号：7103421
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基于硅基深刻蚀工艺的三维MEMS超级电容器制造方法。背景技术超级电容器(超电 容)是介于传统电容器和蓄电池之间的一种新型储能装置，具有功率密度大、充放电时间短、循环寿命长、低温性能好等优点。超电容的军用和民用应用领域非常广泛，小到微米级别的无线传感器，大到火箭卫星的启动装置都离不开超电容。据Lux的最新研究表明，超电容器有巨大的市场潜力，整个超电容器市场收入有望从2008年的2. 08亿美元突破到2014年的8. 77亿美元。小型的超电容可以...
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