技术编号：7109892
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件，尤其涉及一种。背景技术随着科学技术的不断进步，后道互连在半导体芯片制造领域发挥着越来越重要的作用。另外，在先进制程中，图形的关键尺寸也越来越小。为了获得更低的信号延时和高性能的响应特性，45纳米技术结点以下的铜互连层所用的介质材料的介电常数越来越低，孔隙率越来越高，结构更为疏松。线宽的减小和多孔介质材料应用对互连结构的可靠性提出更大挑战。铜互连结构的可靠性问题主要涉及抗电迁移，介质击穿，应力迁移，静电累积 放电等离子引发的击穿及封装相...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。