技术编号：7110269
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种平面基底上导电图案化方法，特别涉及一种基底上ITO薄膜图案化方法。背景技术铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, IT0)薄膜作为一种用半导体材料制备而成的透明导电薄膜，具有高电导率IO4 IO5 Q ^cnT1、高可见光透光率(大于90%)，与玻璃基底结合牢固、抗擦伤等众多优良的物理性能，以及良好的化学稳定性和其他的一些半导体特性，容易制备成电极图形，已经被广泛的应用于太阳电池、固态平板显示器件、柔性显示技术(包括IXD、OLED、...
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