技术编号：7120092
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型技术应用于晶体硅太阳能电池片制程中，单晶硅片的化学腐蚀制程工艺，特别是涉及一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮。背景技术目前，晶体硅太阳能电池制程中单晶硅片的化学腐蚀制程工艺中，硅片是垂直插在在片盒两边的卡槽中的，硅片在卡槽中是松动的，硅片一面的两条边随机的贴在卡槽的一边。在化学腐蚀液中，硅片贴在片盒卡槽上的两条边，由于与片盒接触，该区域化学腐蚀会受到影响，导致相对于其他区域该区域外观发白，形成单面片盒印，并且该区域光学反射率偏高，削弱化学腐蚀的作用降...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。