技术编号：7129634
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种金属氧化半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，MOSFET)元件，且特别关于具有热防护(thermalprotection)功能的晶体管结构。(2)背景技术金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称金属氧化物半导体晶体管)过热或烧坏的问题(burnt out problem)经常发生在许多不同的电子应用产品与操作情况中。正常来说，金属氧化物半导体晶体管能操作于接面(j...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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