技术编号：7138325
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置及其制造方法，更具体地，涉及具有使用凹切栅极的局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构的闪存及其制造方法。背景技术 一般而言，用于存储数据的半导体存储装置分为易失性存储装置，当电源中断时其可能丢失它们的数据，以及非易失性存储装置，即使当电源中断时其可以保持它们的数据。与其他非易失性存储技术相比，例如磁盘机，非易失性半导体存储器相对较小。因此，非易失性存储装置已被广泛地应用于移动通信系统、存储卡等。最近，具有SONOS结构...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。