技术编号：7141675
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种半导体激光器的制作方法，特别是指一种电吸收调制分布反馈半导体激光器的制作方法。背景技术 电吸收调制分布反馈半导体激光器(EMLs)是光通信系统中(尤其是长途干线网络中)的一种主要的光信号产生元件。本发明是关于该种器件的一种方便简单的新型制作方法，主要实施的要点是一次外延中，先后生长两种优化的多量子阱结构，分别作为调制器和激光器的光增益区和光吸收层；为了减小材料的带边吸收损耗，选择腐蚀掉调制器区的顶层多量子阱，可以有效地提高EMLs的出光功率。...
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