技术编号：7142103
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体领域，尤其涉及一种半导体模块。背景技术进行大电流开关动作和整流的功率半导体元件(例如整流用二极管、功率M0SFET、IGBT (绝缘栅型双极晶体管，Insulated Gate Bipolar Transistor)等等)在工作中的发热量很大。因此，对于将这样的功率半导体元件内置在塑封材料中的半导体模块，希望具有很高的散热功率。一般情况下，在半导体模块中可以使用由散热板和引线端子构成的引线框架(Lead Frame)，并将功率半导体...
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