技术编号：7144981
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例总体而言涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体而言，涉及一种半导体器件的电容器和寄存器、包括所述半导体器件的存储系统以及制造所述半导体器件的方法。背景技术非易失性存储器件即使在电源被切断的情况下也能保留储存在其中的数据。由于近来对存储器单元可以以单层形成在硅衬底之上的2D存储器件的集成度的改善达到极限，提出了将存储器单元从硅衬底垂直地层叠成多层的3D非易失性存储器件。以下详细地描述已知的3D非易失性存储器件的结构及其问题。图1是示出已知的3D...
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