技术编号：7145104
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件。背景技术随着CMOS半导体器件工艺的发展以及按比例尺寸缩小，应力工程在半导体工艺和器件性能方面起到越来越大的作用；CM0S器件中引入应力，主要是为了提高器件载流子迁移率，在CMOS器件沟道方向(longitudinal)上张应力对NMOS电子迁移率有益，而压应力对PMOS空穴迁移率有益，在沟道宽度方向(transverse)上的张应力对NMOS和PMOS器件的载流子迁移率均有益，而...
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