技术编号：7145258
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种通过多次实行将第一反应气体和第二反应气体交替地供给、排气的循环，而将反应生成物的层层叠多个形成薄膜的成膜装置。背景技术作为半导体制造工艺中的成膜方法，公知有如下成膜工艺，即在真空环境气氛下向作为基板的半导体晶片(以下称为“晶片”)等的表面供给第一反应气体并使该第一反应气体吸附到该表面之后，将供给的气体切换为第二反应气体，通过两气体的反应在基板上形成一层或者多层原子层或分子层，通过多次进行该循环，将上述层层积，由此进行向基板上的成膜。该工艺例如...
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