技术编号：7145512
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域，更具体地说，本发明涉及三栅极全耗尽型衬底晶体管及其加工方法。背景技术 为了提高器件性能，绝缘体上硅(silicon on insulator，SOI)晶体管已被建议用来加工现代集成电路。图1示出了标准全耗尽型绝缘体上硅(SOI)晶体管100。SOI晶体管100包括单晶硅衬底102，其具有绝缘层104，例如其上形成的氧化埋层。在绝缘层104上形成单晶硅主体106。在单晶硅主体106上形成栅极电介质层108，并在栅极电介质层1...
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