技术编号：7147740
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种薄膜晶体管以及其制造方法。背景技术金属氧化物半导体晶体管具有较高的载子迁移率、较佳的电性表现以及可在低温下制造等优点，因此备受重视。近年来，金属氧化物半导体晶体管正朝向无线射频识别技术(Radio Frequency Identification, RFID)以及可挠式显示装置发展。在低功率高频率的电路中，金属氧化物半导体晶体管的载子迁移率必须更高。但是，目前金属氧化物半导体晶体管的载子迁移率均小于35(^2^1 s—1，无法满足需求。因...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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