技术编号:7154634
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在显示、照明及光信息处理等领域所使用的发光二极管等。背景技术 在V族元素中具有氮(N)的氮化物半导体,从其带隙的大小来看它有望作为短波长发光元件的材料。其中关于氮化镓类化合物半导体(GaN类半导体AlGaInN)的研究尤为盛行,目前已经实现了蓝色发光二极管(LED)、绿色LED。图8是现在已经实现的GaN系紫外发光二极管的截面图。该发光二极管以如下方式制造。在以下的说明中,“u-”表示未掺杂,“p-”为p型,“n-”为n型。首先,在蓝宝石基板41...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。