技术编号：7158144
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体器件领域，具体地说，涉及一种硅制高压超结纵向双扩散N 型金属氧化物半导体场效应晶体管。背景技术目前，功率器件在日常生活、生产等领域的应用越来越广泛，特别是功率金属氧化物半导体场效应晶体管，由于它们拥有较快的开关速度、较小的驱动电流、较宽的安全工作区，因此受到了众多研究者们的青睐。在功率金属氧化物半导体场效应晶体管的一类典型应用——无刷电机、马达驱动和汽车电子中，驱动负载大部分均为感性，而且有些拓扑结构中器件不可避免地会工作在非箝位感应开...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。