技术编号：7158164
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其涉及。背景技术现有技术中，形成栅极的工艺可分为前栅(gate first)工艺和后栅(gate last)工艺。前栅工艺是指先沉积栅介质层，在栅介质层上形成栅极，然后进行源漏注入，之后进行退火工艺以激活源漏中的离子。前栅工艺其工艺步骤简单，但在进行退火时，栅极不可避免地要承受高温，导致MOS管的阈值电压Vt漂移，影响管子性能。后栅工艺是指在退火工艺后，即在高温步骤后，刻蚀掉多晶硅伪栅，形成伪栅沟槽，再用合适的金属填充伪栅沟槽 以形成栅...
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