技术编号：7158274
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件以及半导体工艺，尤其涉及一种LDMOS晶体管结构及其形成方法。背景技术高压BCD工艺及由其形成的电路模块广泛应用于汽车电子、液晶显示面板(LCD) 驱动、有机发光二极管(OLED)驱动、马达驱动等领域，是近年来的热门研究领域。横向扩散金属氧化物(LDM0Q晶体管是B⑶工艺中常用的一种功率器件。常规的 LDMOS晶体管的栅极往往延伸至场氧化层(L0C0S或STI)上，从而减少漏端的电场强度，以增大LDMOS晶体管的安全工作区和击穿电压。以...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。