技术编号：7159163
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种PMOS晶体管结构及其制造方法。背景技术随着CMOS元件尺寸的缩小，载流子迁移率已经成为影响CMOS器件性能的重要因素。现有技术中一种提高MOS晶体管载流子迁移率的方法是通过向晶体管沟道区域有选择地施加应力，这种应力使半导体晶体晶格发生畸变，如向PMOS晶体管的沟道区施加压应力，半导体晶体晶格发生压缩，进而影响能带的排列和半导体电荷输送性能，通过控制在形成的器件中的应力大小和分布，以提高载流子迁移率，改善器件的性能。现...
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