技术编号：7160583
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于硅基纳米材料和器件制造领域，具体涉及一种制备高密度硅纳米孔阵列的工艺方法。背景技术硅纳米孔被认为是光伏、生物化学传感器、以及能量存储领域非常有前途的加工模板。在众多的制造方法中，金属辅助化学刻蚀因其可以通过简单、低廉的工艺步骤在硅片上形成硅纳米孔结构，在最近十年里得到了广泛的关注。金属辅助化学刻蚀形成硅纳米孔的基本机理是首先在硅片上覆盖一层非连续的重金属(Au、Ag、Pt或Pd)颗粒，然后将硅片浸没在含有氢氟酸和氧化剂(双氧水、硝酸铁、高锰酸钾等...
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