技术编号：7161257
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于太阳能。背景技术太阳能电池变温吸杂扩散方法是指利用金属杂质在二氧化硅的溶解度大于在晶体硅中的溶解度，可以先在800°C左右通氧气在晶体硅表面形成一层二氧化硅薄膜，再升温至IOOiTC让金属杂质扩散至硅表面溶解于二氧化硅中，然后降温至850°C正常方法扩散， 通过去磷硅玻璃去除溶解在磷硅玻璃中的金属杂质，达到提高少子寿命的目的。由于现在晶体硅特别是多晶硅原硅片内存在金属杂质，常规方法在中温850°C进行扩散方法，虽然能形成很好的PN结但除杂效...
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