技术编号：7161802
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本文中公开的主题大体涉及非结合式半导体靶以及在衬底上的半导体层的溅射期间使用它们。更具体而言，本文中公开的主题涉及在基于碲化镉的薄膜光电装置的制造期间使用非结合式硫化镉靶来溅射硫化镉层。背景技术基于与硫化镉(CdS)配对作为光反应性构件的碲化镉(CdTe)的薄膜光电(PV)模块(也称为“太阳能板”)在工业中正获得广泛的接受和关注。CdTe是具有特别适于将太阳能转化成电的特性的半导体材料。例如，CdTe具有约1. 45eV的能带隙，这使得与在历史上用于太阳能...
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