技术编号：7161921
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纳米电子器件结构，具体来讲，涉及的是一种共栅、共源、多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管。背景技术随着硅微电子器件集成度的提高，芯片上的功能元件尺寸不断减小，但进一步减小功能元件的尺寸会由于到达硅材料的物理学极限而引起诸多问题，为此必须寻找可以替代硅的新材料，碳纳米管因其独特的优良特性被视为替代硅材料的理想选择，而碳纳米管场效应晶体管也成为替代传统硅场效应晶体管的最有前途的方案之一。目前人们对碳纳米管场效应晶体管的研究主要包括提高栅极对碳纳米...
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